رئیس پنتاگون: منتظر تحریکات بعدی ایران علیه آمریکا در عراق هستیم

© AP Photo / Chuck Burtonرئیس پنتاگون منتظر تحریکات بعدی ایران علیه آمریکا در عراق است
رئیس پنتاگون منتظر تحریکات بعدی ایران علیه آمریکا در عراق است - اسپوتنیک ایران
اشتراک
مارك اسپر، وزیر دفاع آمریکا، روز پنجشنبه گفت كه ایران ممكن است به سازماندهی تحریکات علیه ایالات متحده در عراق ادامه دهد، اما پشیمان خواهد شد.

به گزارش اسپوتنیک، وزیر دفاع آمریكا روز پنجشنبه در جمع خبرنگاران گفت: واشنگتن حملات بیشتر از سوی گروه شیعه كتائب حزب الله را كه پیشتر به سفارت آمریكا در بغداد حمله كرده بودند را رد نمی كند.

رسانه های آمریکایی به نقل از اسپر نوشتند: "شواهدی وجود دارد که آنها می توانند حملات بیشتری را برنامه ریزی کنند. در مورد اینکه فکر می کنم آیا آنها می توانند دست به عملیات بزنند؟ بله. و به احتمال زیاد آنها پشیمان خواهند شد." وی گفت که ماهها رفتارهای تحریک آمیز آنها را مشاهده کرده بودیم.

رئیس پنتاگون تأکید کرد که ایالات متحده آمادگی دارد تا از اقدامات بیشتر این گروه و گروههای مانند آن جلوگیری کند. اسپر همچنین دوباره به رابطه آنها با ایران اشاره کرد.

در اوایل این هفته، تظاهرکنندگان حملاتی را به سفارت آمریکا در بغداد انجام دادند. رئیس جمهور آمریكا، دونالد ترامپ در این باره اظهار داشت كه ایران پشت این اقدامات است. ایران اما چنین ادعاهایی را رد می کند.

صدها معترض عراقی در روزهای گذشته در اعتراض به حمله آمریکا علیه پایگاه‌های الحشد الشعبی و نقض حاکمیت کشورشان، مقابل سفارت آمریکا در بغداد تظاهرات کردند و طی روزهای سه‌شنبه و چهارشنبه هفته جاری چندین نقطه از سفارت آمریکا را به آتش کشانده و پرچم عراق و الحشد الشعبی را بر فراز دیوارهای سفارت برافراشتند. پیشتر نیز شبکه تلویزیونی العربیه گزارش داده بود که معترضین سعی کردند به دروازه اصلی سفارت آمریکا در بغداد، واقع در منطقه سبز پایتخت عراق که در آن ساختمان دیپلماتیکی و آژانس های دولتی مستقر هستند، حمله کنند. تظاهرات اعتراض آمیز در نزدیکی سفارت آمریکا بلافاصله پس از تشییع جنازه اعضای شیعه كتائب حزب الله كه در حملات هواپیماهای بدون سرنشین آمریكا جان باختند آغاز شد. در حمله آمریکا به مواضع الحشد الشعبی، 28 نفر از رزمندگان مقاومت عراق کشته و بیش از 50 نفر زخمی شدند.

نوار خبری
0
loader
بحث و گفتگو
Заголовок открываемого материала